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温补振荡器

温度补偿晶体振荡器又称温补晶振。英文简称为tcxo(temperature compensated crystal oscillator)是在一定的温度范围内通过一定的补偿方式(比如电容补偿、热敏电阻网络补偿等)而保持晶体振荡器的输出频率在一定的精度范围内(如10-7 级、10-6 级)的晶体振荡器。它具有开机特性好、功耗低、频率-温度稳定性高等特点。广泛应用于各种通信、导航、雷达、卫星定位系统、移动通信、程控电话交换机、各类电子测量仪表中。
共 7 结果
图片 产品系列 产品介绍 规格书
TD14 封装尺寸:20.4*12.8*7.6;频率范围:2MHz~125MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2.0ppm;输出模式:Sinewave Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-40℃~+90℃;
T119 封装尺寸:11.4*9.6*1.85;频率范围:8MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2ppm;输出模式:Clipped Sinewave;工作温度:-40℃~+85℃;
T22 封装尺寸:2.5*2.0*0.85;频率范围:9.5MHz~60MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-40℃~+90℃;
T32 封装尺寸:3.2*2.5*1.0;频率范围:9.5MHz~60MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-40℃~+90℃;
T53 封装尺寸:5.0*3.2*1.5;频率范围:5MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):0~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave CMOS;工作温度:-55℃~+95℃;
TT75 封装尺寸:7.0*5.0*1.9;频率范围:5MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):0~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave CMOS;工作温度:-55℃~+95℃;
T75 封装尺寸:7.0*5.0*1.9;频率范围:5MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):0~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-55℃~+95℃;
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