| TD14 | 封装尺寸:20.4*12.8*7.6;频率范围:2MHz~125MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2.0ppm;输出模式:Sinewave Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-40℃~+90℃; | |
| T119 | 封装尺寸:11.4*9.6*1.85;频率范围:8MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2ppm;输出模式:Clipped Sinewave;工作温度:-40℃~+85℃; | |
| T22 | 封装尺寸:2.5*2.0*0.85;频率范围:9.5MHz~60MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-40℃~+90℃; | |
| T32 | 封装尺寸:3.2*2.5*1.0;频率范围:9.5MHz~60MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):±0.2ppm~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-40℃~+90℃; | |
| T53 | 封装尺寸:5.0*3.2*1.5;频率范围:5MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):0~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave CMOS;工作温度:-55℃~+95℃; | |
| TT75 | 封装尺寸:7.0*5.0*1.9;频率范围:5MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):0~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave CMOS;工作温度:-55℃~+95℃; | |
| TF75 | 封装尺寸:7.0*5.0*1.9;频率范围:5MHz~100MHz;工作电压:1.8V~5.0V;频率精度(25℃):0~±2.0ppm;输出模式:Clipped Sinewave HCMOS/TTL;工作温度:-55℃~+95℃; | |